IR-Detektoren

InGaAs PIN Photodioden

Moderne InGaAs-PIN Fotodioden sind panchromatisch und wandeln breitbandig Licht im VIS-NIR Bereich in einen Photostrom um. Konkret bedeutet dies einen Empfindlichkeitsbereich von 500 nm bis 1700 nm für das reguläre InGaAs und –in Abstufungen- bis zu 2600 nm für das extended InGaAs. 

PbS und PbSe Detektoren

PbS ist ein Standard SWIR-Halbleiterdetektor (Short-Wave Infrared: 1 – 3,3 µm) während PbSe im MWIR (Mid-Wave Infrared; ungekühlt: 1 – 4,7 µm, gekühlt: bis 5,2 µm) verwendet wird. Unsere PbS- und PbSe-Detektoren sind photoleitend – der Detektorwiderstand verringert sich bei Lichteinfall. Die Kristallstruktur ist polykristallin und die Herstellung erfolgt mittels chemischer Abscheidung. 

Pyroelektrische IR Detektoren

Pyroelektrische IR Detektoren sind thermische Detektoren . Abhängig von der absorbierten Lichtmenge ändert sich die Temperatur des Oberflächenmaterials. Diese Änderungen werden in elektrische Signale umgewandelt. Thermische Detektoren sind polychromatisch und haben eine sehr große spektrale Bandbreite. Trotzdem werden sie hauptsächlich im MWIR und LWIR eingesetzt – zunehmend auch bei THz-Strahlung. 

Der pyroelektrische Effekt beruht darauf, dass die Atome in einem Kristall oder einer Keramik mit hoher Kristallinität bei Temperaturänderungen geringfügig ihre Position ändern. Die dadurch entstehenden elektrischen Schwankungen werden durch Elektroden auf der Kristalloberfläche erfasst.  

Dieser Effekt tritt bei vielen Materialien auf. Die gebräuchlichsten davon sind deuteriertes L-Alanin dotiertes Triglycinsulfat (DLaTGS) und Lithiumtantalat (LTO).